半導體制成技術(shù)及工藝無(wú)論在什么階段都是行業(yè)熱門(mén)話(huà)題及研究方向，隨著(zhù)新一代集成電路中尺寸降低，芯片集成密度提高，導致金屬互連線(xiàn)的寄生電阻效應和寄生電容效應愈來(lái)愈嚴重，最終發(fā)熱量增加影響芯片性能工作效率降低。
降低集成電路中使用的介電材料的介電常數，可以減少集成電路的漏電電流，降低導線(xiàn)之間的電阻、電容效應，提升性能及穩定性。由其在邏輯運算、快速存儲讀取響應上，尤為明顯。
介電常數k真空值為1，根據k值的不同，介電常數k >3.9分為高k（high-k）；介電常數k <2.8分為低k（low-k）。在集成電路內部，由于層間電介質(zhì)，導線(xiàn)之間就不可避免地存在寄生電容，使用low-k電介質(zhì)作為層間電介質(zhì)，減少電介質(zhì)的k值，可以減小電容的容量。解決上述問(wèn)題。
由于low-k材料的松軟結構和易滲透性，使得CMP(化學(xué)機械研磨)和清潔工序變得更為艱難，并導致成品率下降和生產(chǎn)成本的提高。而通過(guò)激光開(kāi)槽技術(shù)，利用紫外皮秒超快激光整形光束將激光聚焦材料表面達到特定形狀，利用激光汽化表層形成凹槽。而超快超短脈沖激光，極大的減少熱影響區，是一種“冷”加工方式。
激光Low-K開(kāi)槽是先在切割道內部切兩條細保護槽，再進(jìn)行寬度開(kāi)槽。后續可選擇用刀輪或者激光切割硅等襯底材料。
華日激光紫外皮秒激光器，自主研發(fā)制造核心種子源，多級多程放大技術(shù)。采用355nm波長(cháng)“冷”激光，且脈沖寬度<10 ps，加工無(wú)熱影響，減少熱應力產(chǎn)生，影響最終成品率及效果。光斑直徑1.8 ±0.5mm, 1/e2，適應于加工中高精度槽寬的刻蝕。支持Burst Mode（脈沖串模式）更高效的加工刻槽。