在半導體2.5/3D封裝中，有機轉接板、TSV硅轉接板和TGV玻璃轉接板是主流的轉接板材料。其中，玻璃的高頻性能優(yōu)異，這是因為玻璃是絕緣材料，其介電常數是硅的1/3，損耗因子比硅小2~3個(gè)數量級。這使得玻璃能夠顯著(zhù)減小高頻下的插入損耗和串擾，因此基于玻璃的TGV轉接板在射頻集成領(lǐng)域得到了廣泛應用。
此外，玻璃的熱膨脹系數可調，可以降低與不同材料間的熱失配。這對于實(shí)現可靠的熱管理是非常重要的。
另外，由于大尺寸玻璃面板易于獲取，不需要沉積絕緣層，因此玻璃的成本約為硅襯底的1/8。這使得玻璃成為一種經(jīng)濟高效的轉接板材料選擇。
然而，TGV技術(shù)面臨的關(guān)鍵問(wèn)題是缺乏類(lèi)似硅的深刻蝕工藝，難以快速制作高深寬比的玻璃深孔或溝槽。傳統的噴砂法、濕法刻蝕法和激光鉆孔法等均存在一定的局限性。感應耦合等離子體(ICP)干法刻蝕技術(shù)控制精度高，刻蝕表面平整光滑，垂直度好，常用于刻蝕高深寬比結構，但各向同性刻蝕嚴重。由于玻璃襯底上掩膜沉積工藝的限制，在深孔刻蝕時(shí)，需要一定的刻蝕選擇比。在保證側壁垂直性與刻蝕選擇比的同時(shí)提高玻璃刻蝕速率成為目前研究的難點(diǎn)。
TGV通孔制備的方法有噴砂、機械鉆孔、干法刻蝕、濕法腐蝕、聚焦放電等，然而上述方法都有明顯的缺點(diǎn)，目前TGV通孔制備的使用最廣泛的方法是：激光刻蝕與激光誘導變性。
激光刻蝕玻璃的方法不需要掩膜，可以省略相關(guān)的工藝過(guò)程，降低制造成本。激光刻蝕能夠自然形成一定傾斜角度的深孔，這有利于后續在高深寬比深孔內填充金屬。然而，這種方法需要串行進(jìn)行加工，影響了刻蝕效率和產(chǎn)量，因此一般適用于需要通孔數量比較少的情況。此外，激光刻蝕引起的瞬間高溫和玻璃本身較低的熱導率使襯底承受更高的熱應力集中，容易在盲孔側壁造成微裂紋，并且側壁的形狀控制較為困難、表面粗糙度很差。另外，激光燒蝕造成的熔融產(chǎn)物和殘渣附著(zhù)在深孔的開(kāi)口處，在刻蝕以后必須采用額外的平整工藝去除表面殘渣。
激光誘導變性制造TGV通孔的方法是通過(guò)脈沖激光誘導玻璃產(chǎn)生連續的變性區，相比未變性區域的玻璃，變性玻璃在氫氟酸中刻蝕程度提升、效率加快。這種方法可以實(shí)現高深寬比的玻璃深孔或溝槽的制作，并且具有各向同性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)。然而，這種方法需要進(jìn)行兩次加工（激光誘導變性和氫氟酸刻蝕），工藝流程較長(cháng)，成本較高。同時(shí)，玻璃的表面質(zhì)量較差，需要進(jìn)行額外的處理。