晶圓是用來(lái)制造IC芯片的基礎材料，由晶體和硅熔體通過(guò)熔晶工藝制造出晶圓棒，再通過(guò)切片方式制造出單片晶圓，晶圓劃片則是劃線(xiàn)出單個(gè)晶體單位。
晶圓劃片工藝已經(jīng)不再只是把一個(gè)硅晶圓劃片成單獨的芯片這樣簡(jiǎn)單的操作。隨著(zhù)更多的封裝工藝在晶圓級完成,并且要進(jìn)行必要的微型化,針對不同任務(wù)的要求,在分割工藝中需要對
不同的操作參數進(jìn)行調整。例如,分割QFN封裝需要具有可以切割柔性和脆性材料組成的復合基板的能力。MEMS封裝則常常具有微小和精細的結構;梁、橋、鉸鏈、轉軸、膜和其他敏感形態(tài);這些都需要特別的操作技術(shù)和注意事項。在切割硅晶圓低厚度,或者像GaAs這樣的脆性材料時(shí),又增添了額外的挑戰例如碎片、斷裂和殘渣的產(chǎn)生。
劃片方法主要有刀具劃片、激光劃片。
刀具劃片：是以強力磨削為手段，通過(guò)空氣靜壓支撐的電主軸帶動(dòng)超薄金剛石刀片以高速旋轉，用刀片上的微細磨粒與被加工物進(jìn)行接觸，使劃切處的材料產(chǎn)生碎裂。
劣勢：
刀片劃片直接作用于晶圓表面，在晶體內部產(chǎn)生損傷，容易產(chǎn)生晶圓崩邊及晶片破損；
刀片具有所的厚度，導致刀具的劃片線(xiàn)寬較大；
耗材大，刀片需每半個(gè)月更換一次；
環(huán)境污染大，切割后的硅粉水難處理。
激光劃片：利用高能激光束聚焦產(chǎn)生的高溫使照射局部范圍內的硅材料瞬間氣化，完成硅片分離。
優(yōu)勢：
對芯片的電性影響小，可提高的劃片成品率；
可以對不同厚度的晶圓進(jìn)行作業(yè)，具有更好的兼容性和通用性；
可以切割一些較復雜的晶圓芯片，如六邊形管芯等；
不需要去離子水，不存在刀具磨損問(wèn)題，并可連續24小時(shí)作業(yè)。
